专利摘要显示,本实用新型公开了一种优化DDR5金手指扇出信号质量的PCB结构★■★■,应用于DDR5 RDIMM拓扑链路的走线中,包括:PCB板,包括顶层、底层以及位于顶层和底层之间的内层■■;金手指组件★■,设置在PCB板的端部且位于顶层和/或底层★★◆,包括相互隔离的若干接地金手指和若干信号金手指■◆;走线,设置在PCB板上◆◆◆■,包括若干地走线和若干信号走线;过孔■■◆■,设置在PCB板上■◆,包括若干第一回流地过孔、若干第二回流地过孔和若干信号过孔;其中,每个信号过孔的0.65‑1mm中心间距以内至少存在一个第二回流地过孔。本实用新型不需要增加其他的器件和设计或加工成本,即可明显的优化扇出的信号质量★■◆◆。
金融界2024年12月16日消息,国家知识产权局信息显示,珠海市一博科技有限公司取得一项名为“一种优化DDR5金手指扇出信号质量的PCB结构”的专利,授权公告号CN 222147892 U,申请日期为2024年2月◆■★◆■★。
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